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硒化钨拉曼光谱层数效应

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应用键弛豫理论(BOLS)对层状硒化钨材料的拉曼光谱进行定量分析,得出了硒化钨层数与键参数的数值函数关系.澄清了硒化钨拉曼频移层数效应的内在起因:硒化钨层数增加时,拉曼振动模A1g发生蓝移是由于最近邻原子的影响;成键原子控制着硒化钨拉曼E21g模和B21g模的红移.

著录项

来源
《光散射学报》|2016年第1期|12-15|共4页
作者
杨学弦; 张峰; 刘理军; 廖文虎; 刘永辉; 莫贤通; 冯晶;
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作者单位

吉首大学物理与机电工程学院,吉首 416000;

吉首大学物理与机电工程学院,吉首 416000;

吉首大学物理与机电工程学院,吉首 416000;

吉首大学物理与机电工程学院,吉首 416000;

湘潭大学材料科学与工程学院,湘潭 411105;

吉首大学物理与机电工程学院,吉首 416000;

吉首大学物理与机电工程学院,吉首 416000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光谱分析;
关键词
层数; 二硒化钨; 拉曼频移; 有效配位数;
入库时间 2023-07-25 22:51:17

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