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钆掺杂钨酸铅闪烁晶体的介电双弛豫峰研究

             

摘要

完成了钆离子(Gd3+)掺杂钨酸铅晶体在40~600°C、1~106Hz范围内介电性能的测量.在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰,记为α峰,其激活能为0.50+0.01eV,频率因子v=1.44×109.而在降温过程中,除α峰外还出现了另一介电弛豫峰,记为β峰,其激活能为0.51+0.02eV,频率因子v=2.44×106.α峰和β峰均可用Debye方程来描述,而其相对强度呈此消彼长的趋势.分析了Gd:PWO中两种介电弛豫峰的起因及其相互关系,并讨论了它们与PWO晶体闪烁性能变化之间的关系.

著录项

  • 来源
    《无机材料学报》 |2002年第1期|29-34|共6页
  • 作者

  • 作者单位

    中国科学院无机功能材料开放实验室中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

    Dept. of Chemistry, Simon Freaser University, Canada;

    Dept. of Chemistry, Simon Freaser University, Canada;

    中国科学院无机功能材料开放实验室中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 晶体的电学性质;
  • 关键词

    介电弛豫; 掺Gd钨酸铅晶体; 偶极缺陷;

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