汞灯辅助MOCVD SnO2薄层晶体的结构与透明导电性研究

摘要

采用x—射线衍射(XRD)、高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见吸收谱(UV)等技术研究了在汞灯(ML)辅助下进行有机金属化学气相沉积(MOCVD)所得本征及掺杂SnO_2薄层晶体的结构和透明导电性。实验指出,采用汞灯辅助有机金属化学气相沉积(ML-MOCVD)SnO_2薄层晶体比无汞灯辅助的有机金属化学气相沉积(MOCVD)膜层生长速度快,结晶粒度大且其透明导电性能更好。本文对ML-MOCVD SnO_2薄层晶体的结晶粒度与生长温度的关系、掺杂对结晶取向的影响以及可见光透过率、导电性能等进行了较详细的研究。结果指出,ML-MOCVD是获得透明导电优质薄层SnO_2晶体材料的最佳途径。