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宋志棠; 任巍;
西安交通大学电子材料与器件研究所;
PLT; 薄膜; 底电极; 介电特性; 铁电材料;
机译:外延应变和电边界条件对BiFeO_3薄膜结构和铁电性能的影响
机译:室温下铁电和顺电Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜结构畸变及其对微波可调性能的影响
机译:不同电极上SOL-GEL PLT薄膜铁电性能的比较
机译:底部电极对PLT铁电薄膜结构和电性能的影响
机译:了解影响碱性镍铁电池铁和镍电极性能的因素
机译:温度和氧含量对LaBaCo2O5 +δ薄膜结构和电性能的影响
机译:外延应变和电边界条件对BiFeO3薄膜结构和铁电性能的影响
机译:利用新型导电氧化物的铁电薄膜结构的红外吸收
机译:铁电薄膜结构及其制造方法,包括铁电薄膜结构的电气装置
机译:铁电薄膜结构,制造方法的方法,以及包括铁电薄膜结构的电子设备
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