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黄继颇; 王连卫;
中国科学院上海冶金所;
氮化铝; 宽禁带半导体; 异质外延; 薄膜;
机译:宽禁带半导体AIN在4.2-300 K范围内的热电性能
机译:基于电沉积的原位电阻性能优异的电阻式半导体薄膜气体传感器的原位构建方法
机译:半导体光催化剂,用于掺杂剂改性的宽禁带半导体的可见光吸收
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机译:阴极发光研究宽禁带半导体的光学特性
机译:同性恋男性高级别肛门鳞状上皮内病变(HSIL)-AIN2和HSIL-AIN3相关的患病率和危险因素
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机译:aIN,GaN和选择的siC多型组合的假晶半导体异质结构:理论进展及其与成核,生长,表征和器件开发实验研究的协调
机译:沉积含有AIN的压电薄膜的方法,以及含有AIN的压电薄膜
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机译:用于宽禁带半导体功率器件的原位掺杂半导体门电极的系统和方法
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