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邱东江; 吴惠桢; 石成儒; 徐晓玲; 郝天亮;
浙江大学物理系,浙江,杭州,310028;
浙江大学中心实验室,浙江,杭州,310028;
热丝碳化; 金刚石; 成核;
机译:偏压增强成核热丝化学气相沉积参数对铱上金刚石成核的影响
机译:在垂直直热丝CVD中在Si(100)上偏向增强金刚石的成核作用
机译:热丝化学气相沉积系统中偏压增强成核和H_2 / CH_4 / Ar混合物的金刚石膜生长动力学
机译:脉冲激光辅助热丝CVD中硅衬底上金刚石成核的增强
机译:CVD金刚石涂层工具对碳化硅颗粒增强铝合金复合材料的可加工性研究。
机译:无碳化物一区硫化方法在多晶CVD金刚石上生长MoS2薄层
机译:控制热丝辅助CVD金刚石薄膜的织构和缺陷结构。
机译:具有成核促进层的多晶硅锭,该成核促进层在底部包括多个芯片和多晶硅块
机译:化学连接的金刚石薄膜,用于CVD金刚石膜成核
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