CaMoO4薄膜的电化学制备技术研究

毕剑; 余萍; 高道江; 陈连平; 肖定全

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CaMoO4薄膜的电化学制备技术研究

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采用恒电流的电化学技术,在高纯金属钼基体上直接制备了白钨矿结构的CaMoO4薄膜;其制备条件为:电流密度0.5mA/cm2,饱和Ca(OH)2溶液的pH值12.0,反应温度70℃,电化学沉积时间250min.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)分析测试表明,所制备的薄膜为表面均匀致密的四方晶系的CaMoO4单相多晶薄膜.

著录项

来源
《功能材料》 |2005年第10期|1549-1551|共3页
作者
毕剑; 余萍; 高道江; 陈连平; 肖定全;
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作者单位

四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

四川师范大学,化学学院,四川,成都,610066;

四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

四川师范大学,化学学院,四川,成都,610066;

四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064;

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正文语种 chi
中图分类特种结构材料;阳极过程;
关键词
CaMoO4薄膜; 电化学技术; 白钨矿结构; 制备;

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