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黄宝歆; 王军华; 原晓波; 王成建; 刘宜华; 梅良模;
潍坊学院,物理系,山东,潍坊,261061;
山东大学,物理与微电子学院和晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;
稀土掺杂锰氧化物; 庞磁电阻效应; 自旋相关散射; 自旋相关隧穿;
机译:基于La0.67Sr0.33MnO3电极的有机自旋阀在室温下的巨磁电阻增强
机译:La0.67Sr0.33MnO3 / G-SrMnO3 / La0.67Sr0.33MnO3三明治的振荡交换偏置效应
机译:锰矿La0.67Sr0.33MnO3和磁铁矿Fe3O4的纳米复合材料的磁阻效应增强。
机译:全外延FeCo / MgO / Fe磁性隧道结中退火效应引起的大反磁电阻
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:锂离子电池中掺杂引起的记忆效应:Al掺杂的Li4Ti5O12
机译:n掺杂Cd 3 sub> as 2 sub>中迁移率波动引起的线性磁电阻
机译:掺杂耗尽效应引起的掺杂氧化物的异常扩散。
机译:自耗尽边缘背栅引起的具有反向短沟道效应(SCE)的全耗尽型低体掺杂场效应晶体管(FET)
机译:自对准边缘后门引起的具有反向短通道效应(SCE)的全耗尽型低体掺杂场效应晶体管(FET)
机译:掺杂霍尔效应器件的有源霍尔效应区的方法和具有掺杂的有源霍尔效应区的霍尔效应器件
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