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电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析

     
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摘要

采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析.结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜.

著录项

  • 来源
    《功能材料》|2006年第9期|1420-1422|共3页
  • 作者

    吴玉新; 薛成山; 庄惠照; 田德恒; 刘亦安; 何建廷;

  • 作者单位

    山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

    山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN304.23;
  • 关键词

    氮化镓薄膜; Si衬底; 电泳沉积; 六方纤锌矿结构;

  • 入库时间 2022-08-17 16:31:09

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