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关玉琴; 陈余; 赵春旺;
内蒙古工业大学,理学院,内蒙古,呼和浩特,010051;
稀磁半导体材料; 反铁磁性交换作用; 居里温度; 掺杂浓度; 共掺杂;
机译:无序度对GaMnN,GaCrN,InCrN和InMnN稀磁半导体的居里温度的影响
机译:P-阴离子共掺杂对GaMnAs稀磁半导体居里温度的影响
机译:Cr或Fe对Cu 2 sub> Sb型结构的Mn基层状化合物MnAlGe和MnGaGe的居里温度的影响
机译:(07A507)磁性居里温度和四边形尖晶石氧化物Mn_(2.5)M_(0.5)O_4(M = CO,Ni,Mn,Cr和Mg)膜之间的阳离子之间的交换耦合
机译:共掺杂剂对ZnS:Mn薄膜荧光粉的微观结构和电致发光的影响。
机译:高居里温度销PMN-PMN-PMN-PMN-PMN-PMN-PMN-PMN-PMN-PMN-PMN-PMN的开发
机译:量子限制:提高mn的居里温度的途径 掺杂的Gaas
机译:硫和锆共掺杂对NiCral氧化的影响
机译:通过以特定比例的Mn共掺杂来敏化热发光剂量计CaSO4:Dy以测量低辐射剂量以及制备CaSO4:Dy,Mn的方法
机译:Cr CrMnFeNiCuAg Cr丝增强CrMnFeNiCu高熵合金及其制造方法
机译:通过控制Cr,Mn,Ti含量对焊接裂纹的影响,使镍基合金在高温下具有较高的可焊性和耐蚀性
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