(400)择优取向ITO薄膜制备及其红外隐身性能研究

摘要

通过调节磁控溅射过程中通入氧气的流量,在二氧化硅基片上制备具有"富氧层+贫氧层"结构的(400)高度择优的ITO薄膜.采用XRD、SEM等对薄膜的微观结构进行了表征,并对其可见光透过率和红外反射率进行了研究.结果显示,富氧层厚度薄时有利于获得(400)方向择优的ITO薄膜,同时(400)方向的XRD衍射峰强度随富氧层厚度的增加而降低.制备所得的厚度为350nm的ITO薄膜断面呈柱晶状,其表面粗糙度仅为2.9nm,可见光透光率可达87％,2.5～15μm波长的红外反射率为85％,薄膜的电阻率为1.32×10-4Ω·cm,载流子浓度和迁移率分别为1.24×1021cm-3和38.18cm2/(V·s)."富氧层+贫氧层"的结构有利于同时获得高可见光透过率和高红外反射率的ITO薄膜,为ITO薄膜应用于红外隐身领域提供了新的思路.