退火温度对铌掺杂氧化铟透明薄膜性能的影响

摘要

采用磁控溅射法制备了铌(Nb)掺杂氧化铟(In_(2)O_(3))透明薄膜(InNbO),研究了不同退火温度对薄膜的形貌、结构、光学透过率以及电学性能等的影响。研究表明,所制备的薄膜表面致密均匀、无明显孔隙与裂痕,薄膜呈现结晶相,无明显晶格畸变,在波长380~780 nm的可见光范围内透过率约86%,拟合的禁带宽度E_(g)随薄膜退火温度升高而增大,当薄膜进行400℃退火后,E_(g)为3.89 eV,未退火时薄膜电阻率最低(约9.4×10^(-2)Ω·cm),随退火温度升高薄膜的电阻率表现为先增大后减小。