电针百会、神庭穴对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能及嘌呤受体P2X7表达的影响

摘要

目的 观察电针百会、神庭穴对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能及海马区嘌呤受体P2X7的影响,探讨其可能机制.方法 采用改良Zea Longa线栓法制备大鼠左侧大脑中动脉缺血(MCAO)再灌注损伤模型,造模成功后随机分为模型组与电针组,另设假手术组.电针组大鼠取穴百会、神庭,治疗7d.采用Morris水迷宫检测大鼠空间学习记忆功能;采用免疫组化法观察大鼠海马区小胶质细胞活化标记物ED1与嘌呤受体P2X7的表达.结果 电针组大鼠空间学习记忆功能较模型组改善(P＜0.05),神经行为学评分降低(P＜0.05).模型组大鼠海马区ED1 、P2X7受体表达较假手术组明显增多(P＜0.01),电针组表达则少于模型组(P＜0.05).结论 电针百会、神庭穴能改善局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能,其机制可能与抑制小胶质细胞活化及P2X7受体表达有关.