三甲基镓在Pd（111）表面吸附解离及表面预吸附H和O的影响

摘要

利用X-射线光电子能谱（XPS）和程序升温脱附谱（TPD）研究了三甲基镓在Pd（111）表面的吸附和解离行为，并考察了表面预吸附H和O的影响。结果表明，在吸附温度为140 K时，三甲基镓在Pd（111）上主要为解离吸附，此时表面物种为Ga（CH3）x （x=1，2，3）和CHx物种。加热将导致Ga的甲基化合物中的Ga-C键发生分步断裂，在不同温度下产生CH4和H2从表面脱附。同时，XPS结果证实了在275~325 K的温度区间内存在Ga甲基化合物的分子脱附。退火至更高温度，表面只观察到积碳和金属Ga物种，这二者随着温度的继续升高逐渐向体相扩散。在Pd（111）表面预吸附O和H对上述吸附和解离行为存在显著的影响。当表面预吸附H时，脱附产物CH4和H2的脱附主要位于315 K，可归属为一甲基镓的解离脱附。当表面预吸附O时，只在258 K观察到CH4和H2的脱附峰，可能来自于Pd-O-Ga（CH3）2吸附结构的解离.