(111)取向生长Pb(Zr0.95Ti0.05)O3纳米晶薄膜的铁电与热释电特性

摘要

在Pt/Ti/SiO2/Si基片上用溶胶-凝胶法与快速退火工艺制备了300 nm厚的锆钛酸铅Pb(Zr0.95Ti0.05)O3(PZT95/5)反铁电薄膜.结果显示600～700℃晶化处理的钙钛矿PZT95/5薄膜具有高度(111)取向生长特性.薄膜的电性能测量采用金属-铁电-金属电容器结构.在20 V电压作用下,600～700℃晶化处理的PZT95/5薄膜显示出饱和电滞回线.在1 kHz下,600、650和700℃晶化的薄膜介电常数与损耗分别为519与0.028、677与0.029、987与0.025;采用动力学技术测量薄膜的室温热释电系数,晶化薄膜的热释电系数分别为274、238和212μC/m2K.