Growth Mechanism and Characterization of Single-crystalline Ga-doped SnO2 Nanowires and Self-organized SnO2/Ga2O3 Heterogeneous Microcomb Structures

摘要

单人赛水晶的做 Ga 的 SnO2 nanowires 和 SnO2 : Ga2O3 异构的 microcombs 被一出简单一步舞综合热蒸发和冷凝作用方法。他们借助于 X 光检查粉末被描绘衍射(XRD ) ，地排放扫描电子显微镜学(FE-SEM ) ，精力散的 X 光检查光谱学(版本) ，传播电子显微镜学(TEM ) 和精选区域的电子衍射(SAED ) 。FE-SEM 图象证明产品由代表新奇形态学的 nanowires 和 microcombs 组成了。XRD， SAED 和版本显示他们是单人赛水晶的四角形的 SnO2。产品的形态学上的试验性的条件的影响被讨论。产品的形态学显示出沿着一个 nanoribbon 或双方均匀地排列的如带的茎和 nanoribbon 数组。许多 Ga2O3 nanoparticles 在 microcombs 的表面上扔了，这被发现。主要核心 nanoribbon 沿着主要成长了[110 ] 方向和自我组织的分叉 nanoribbons 取向附生地成长了[10 ] 或[10 ] 取向从(110 ) 茎的飞机。一个生长过程为解释这些显著 SnO2 的生长被建议: Ga2O3 异构的 microcombs。由于 Ga 的重做，在光致发光系列的排放山峰有转移红以及拓宽显著地。