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砷化镓—一氧化硅界面特性研究

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本文报道了用真空蒸发法在砷化镓上淀积一氧化硅.在蒸发过程中保持砷化镓表面温度低于150℃.可获得低损伤的砷化镓-一氧化硅界面.

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来源
《应用科学学报》|1989年第1期|52-56|共5页
作者
盛篪; 任云珠;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类绝缘栅场效应器件;
关键词
砷化镓; 一氧化硅; 界面; 特性;
入库时间 2023-07-25 19:58:38

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