PbO2/MnO2半导体薄膜工艺与ESCA/AES研究

俞志中; 胡南山; 蔡炳初

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PbO2/MnO2半导体薄膜工艺与ESCA/AES研究

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在PbO_2中掺MnO_2,用射频偏压溅射技术制成PbO_2/MnO_2半导体薄膜,有较好的高低温特性,用它首次制成了TLMM薄膜大容量电容器.用粉末溅射法制备了纯正化学状态的MnO_2膜,已用于光电倍增管的制造.用ESCA和AES技术监测工艺过程中薄膜组分含量及化学状态,从而调整了工艺参数与靶材比率.

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来源
《应用科学学报》|1989年第1期|65-70|共6页
作者
俞志中; 胡南山; 蔡炳初;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
PbO2／MnO2; 半导体薄膜; ESCA; AES;
入库时间 2023-07-25 19:58:38

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