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等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究

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摘要

根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.

著录项

来源
《应用科学学报》|1990年第3期|207-212|共6页
作者
李丹之; 赵冷柱; 劳凤英;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
等离子体; 薄膜; 射频缺陷; PECVD;

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