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陈存礼; 宋海智; 华文玉;
不详;
钛硅化物; 扩散势垒; 热稳定性;
机译:准分子激光退火技术用于Si功率MOS器件中浅结的形成
机译:稳定、自连字符对齐的 TiNxOy/TiSi2 触点形成,适用于亚微米器件应用
机译:分子束外延形成的Si和Si1-xGex超浅p(+)结的形成和热稳定性
机译:在40nm节点逻辑器件中用于超浅结形成和n-MOSFET应变应用的分子碳注入技术
机译:带有旋涂掺杂剂的微米和纳米柱上浅p-n结的形成,用于太阳能电池。
机译:浅结的形成和具有浅结的半导体器件
机译:形成浅结的方法和具有所述浅结的半导体器件
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