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乔皓; 徐至中; 张开明;
复旦大学;
替拉缺陷; 深能级; 形为; 硅/锗超晶格; 替位杂质;
机译:测量声子压力系数以精确确定SiGe合金中的形变电位
机译:全波段蒙特卡洛研究SiGe,SiC和SiGeC合金中的空穴迁移率
机译:通过深能级瞬态光谱和拉普拉斯变换深能级光谱研究了GaN中的深能级
机译:与位错相关的刻蚀坑和应变松弛的SiGe层中的深能级
机译:第四纪锆合金中的形变诱导相变
机译:低温(13.56 MHz)等离子体放电沉积的SiGe:H合金中使用H稀释终止Si和Ge原子的研究
机译:在低温下射频(13.56MHz)等离子体放电沉积的SiGe:H合金中Hige:H合金中的Si和Ge原子终止的研究
机译:III-V族化合物半导体及其三元合金中理想空位诱导的中性深能级研究
机译:半导体衬底和电场有效裸晶晶体管的形成方式以及使用该方法的SiGe的形成以及使用该形变Si形成的形成方式以及形成电场的原硅衬底
机译:gleichmaessigen的方法从光或它们的合金中从科尔伯恩中去除了大量金属
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