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张治国; 宿昌厚;
无;
机译:ZnO / a-Si:H和ZnO /μc-Si:H异质结太阳能电池的传输机制和有效肖特基势垒高度
机译:具有肖特基势垒的a-Si:H薄膜晶体管的电导模拟
机译:不同厚度的a-Si:H /金属肖特基势垒电池结构特征-结果与分析
机译:通过电流-电压,电容-电压和内部光发射法测量的四个氢和六个氢碳化硅的(0001),(0001bar),(11bar00)和(12bar10)晶面的肖特基势垒。
机译:Al辐射对Al / DNA / p-Si肖特基势垒二极管电子参数的计算
机译:I-V-T和C-V-T测量显示N型InP上Pd / Ti触点的肖特基势垒参数
机译:半导体测量技术:用于测量硅中注入深度分布的肖特基势垒二极管的差分电容 - 电压分布
机译:A-SI / A-SI(GE)/ A-SI(O)的光电导层组成
机译:用于在关注区域内的位置处测量至少一个所选参数的方法,用于测量所选物理参数的方法和装置,用于在关注区域内的位置处测量所选物理参数的装置以及用于对目标区域上的参数进行测量的方法干涉式光纤设备
机译:A-SI单和多结薄膜硅太阳能电池的A-SI:H吸收层
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