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PDP选址驱动芯片的设计与实现

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设计出-种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时提出了HV-PMOS的厚栅氧刻蚀方法--多晶硅栅自对准刻蚀.文中最后对流水出的芯片进行了测试分析,证明所设计的芯片确实能满足实际要求.

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来源
《应用科学学报》|2003年第2期|187-192|共6页
作者
吴建辉; 孙伟锋; 陆生礼;
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作者单位

东南大学国家ASIC系统工程中心,江苏,南京,210096;

东南大学国家ASIC系统工程中心,江苏,南京,210096;

东南大学国家ASIC系统工程中心,江苏,南京,210096;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电子电路;场效应型;
关键词
等离子体平板显示; 选址驱动; 高压CMOS; 高压NDMOS; 自对准;
入库时间 2023-07-25 19:58:36

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