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王琦龙; 雷威; 张晓兵; 狄云松; 周雪东; 刘敏;
东南大学;
电子工程系;
江苏;
南京;
210096;
南京师范大学;
物科院;
210097;
碳纳米管; 场致发射显示; 二次电子发射; 蒙特卡罗法;
机译:大对角尺寸可打印CNT-FED中的新型门结构
机译:表面结构对等离子显示器MgO保护层中二次电子发射影响的量子化学研究
机译:金刚石单晶的二次电子发射现象及表面制备参数对二次电子发射系数的影响
机译:X射线管中新型栅极的二次电子发射
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:聚合物基底基于等离子体的表面工程中的粗糙度演变和带电:离子反射和二次电子发射的影响
机译:具有纳米级肖特基栅极的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的栅极控制,表面泄漏电流和外围电荷
机译:铜上的纹理碳:具有极低二次电子发射特性的新型表面
机译:三极管CNT-FED的共面栅极-阴极的结构及其制造方法
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