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MOSFET输出阻抗对混频器线性度影响分析

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摘要

深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件.基于0.25 μm CMOS工艺的Gilbert混频器验证结果表明,预测得到的线性度最优理论偏置值与验证结果之间的误差小于10%.

著录项

来源
《应用科学学报》 |2005年第2期|169-173|共5页
作者
唐守龙; 罗岚; 陆生礼;
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作者单位

东南大学;

国家专用集成电路系统工程技术研究中心;

江苏;

南京;

210096;

东南大学;

国家专用集成电路系统工程技术研究中心;

江苏;

南京;

210096;

东南大学;

国家专用集成电路系统工程技术研究中心;

江苏;

南京;

210096;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类变频器、混频器;
关键词
CMOS射频集成电路; 混频器; 线性度; MOSFET输出阻抗;

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