LPCVD多晶硅工艺技术研究

摘要

多晶硅薄膜在电学、力学、光学方面具有很多优良特性，已被广泛应用于半导体集成电路和MEMS器件制造等领域。LPCVD系统的腔室反应压力、淀积温度、气体流量等条件对多晶硅薄膜的淀积速率、均匀性及质量有着显著的影响，通过对工艺条件的分析优化，可制备出高质量的多晶硅薄膜。