常温甲烷气敏元件的研制

摘要

采用掺有Ｐｄ活性ＳｎＯ２－ＩｎＯ３－ＴｉＯ２敏感材料，再掺入ＭｇＯ等金属氢化物，制成复合基体材料，采用直热式气敏元件制造工艺，经表面修饰改性，研制成功常温ＣＨ４气敏元件，给出了常温下的气敏特性，并探讨其机理。