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室温工作HSGFET型O3传感器的特性检测和分析

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摘要

文中的O3传感器采用悬浮栅结构,敏感膜选用In2O3纳米材料及其掺入适量γ-Fe2O3等的混合物,与增强型和耗尽型的FET组合成不同类型的传感器,对其吸附时间和脱附时间以及温度特性进行了对比实验,并进行了理论分析.

著录项

来源
《仪表技术与传感器》 |2003年第12期|42-43|共2页
作者
俞梅; 牛文成; 孙钟林; 李华伟;
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作者单位

南开大学信息技术学院微电子学系,天津,300071;

南开大学信息技术学院微电子学系,天津,300071;

南开大学信息技术学院微电子学系,天津,300071;

南开大学信息技术学院微电子学系,天津,300071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP212;
关键词
HSGFET; O3传感器; 吸附时间; 脱附时间; 敏感膜;

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