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基于双层电化学结构的微型安培免疫传感器

     

摘要

文中利用MEMS工艺在硅基底上制备铂微电极芯片,并采用双层电化学结构进行抗体的固定,用于人免疫球蛋白IgG的安培酶免疫检测.第一层为聚吡咯过渡层,第二层为抗体与聚邻苯二胺的共聚层.该传感器工作电压-0.3 V,检测下限5 ng/mL,线性范围5~355 ng/mL,响应时间3~5 min,具有制备简便、响应快、下限低、试剂用量少、微型化、便于集成等优点.

著录项

  • 来源
    《仪表技术与传感器》 |2006年第1期|1-3|共3页
  • 作者单位

    中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室北方基地,北京,100080;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室北方基地,北京,100080;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室北方基地,北京,100080;

    中国科学院研究生院,北京,100039;

    中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室北方基地,北京,100080;

    中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室北方基地,北京,100080;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 电化学、电解、磁化学;电分析;
  • 关键词

    安培酶免疫传感器; 电化学聚合; 聚吡咯; 聚邻苯二胺; IgG;

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