国外量子阱红外焦平面探测器的发展概况

史衍丽

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以GaAs/A1GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ量子阱红外焦平面探测器因其成熟的材料生长和器件工艺技术,一直是与传统的HgCdTe红外探测器并驾齐驱的红外探测器.近十年来随着对器件结构、机理及器件工艺的不断改进,大面阵Ⅲ-Ⅴ量子阱红外焦平面器件发展显著.本文介绍了量子阱红外焦平面探测器的优越性及存在的问题,当前欧美国家量子阱红外焦平面探测器的最新研究发展、产品现状及应用前景.

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来源
《红外技术》|2005年第4期|274-278|共5页
作者
史衍丽;
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作者单位

昆明物理研究所,云南,昆明,650223;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术、激光技术;
关键词
量子阱; 红外; 焦平面探测器; 欧美国家; 发展状况;
入库时间 2023-07-25 15:44:43

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