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苏太;
机译:英特尔更新65纳米技术
机译:英特尔采用65nm逻辑制造0.57μm〜2 SRAM单元
机译:中国最新的中兴智能手机采用英特尔芯片组
机译:采用65ns CMOS的0.5V 4Mb逻辑过程兼容嵌入式电阻RAM(ReRAM),采用低压电流模式感应方案,随机读取时间为45ns
机译:纳米技术在路面材料中应用的最新进展
机译:营救纳米技术:在微生物食品安全和质量方面采用纳米技术
机译:表2:与更新的最佳已知的解决方案*:(a)Matlab,英特尔核心I7相比,DRG,VNS,SA,CS,TS和GA在CCCP实例上的性能,在2.4 GHz和8 GB RAM,(B)AMD Athlon在1.6 GHz和512 MB RAM,(C)C ++,4.0 GHz,(d)C ++,Pentium 4 AT 3.0 GHz,(e)C ++,英特尔核心2 Q9550 CPU,在2.83 GHz和4 GB RAM,( f)C ++,Pentium 4为3.0 GHz。
机译:ada编译器验证摘要报告:证书编号940902s1.11377 UNIsYsCorporation。适用于Windows NT的Integrada,版本1.0。英特尔台式服务器采用英特尔80486DX266 =>英特尔台式服务器采用英特尔80486DX266
机译:在采用系统管理模式的基于英特尔处理器的计算机系统中缓存smram的设备
机译:集成纳米技术的增强型现场电阻RAM
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