华虹90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

摘要

本刊讯2017年12月27日，华虹半导体有限公司宣布其第二代90纳米嵌入式闪存（90nmG2eFlash）工艺平台已成功实现量。华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存（90nm Gl eFlash）工艺技术积累的基础上，于90nmG2eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nmG2微缩了Flash的元胞尺寸，较第一代减小约25％，为目前全球晶圆代工厂g0纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。