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黄宁; 刘伟景; 李清华; 杨婷;
上海电力大学 上海200090;
上海积塔半导体有限公司 上海201306;
上海华力集成电路制造有限公司 上海201203;
多栅器件; 三栅FinFET; 高k栅介质; 短沟道效应;
机译:具有不对称栅氧化层厚度的高性能束缚门三端FinFET和可变阈值电压独立门四端FinFET的协整
机译:真空/高k栅介电三栅FinFET自热效应的数值研究
机译:使用具有多个V_T栅堆叠的高k /金属栅FinFET技术研究10nm SRAM上的BTI特性及其行为
机译:LaAlO 3 inf>高k栅氧化物和TiN金属栅在22nm以下新型低漏双栅FinFET器件的性能评估
机译:取决于Fin形状和TSV以及3D集成电路中背栅噪声耦合的FinFET电性能仿真。
机译:Ω栅双多晶硅FinFET非易失性存储器的制造表征和仿真
机译:32nm栅长FinFET:掺杂的影响
机译:含有和不含超导栅电极的砷化铝镓/砷化镓高电迁移率晶体管噪声性能的比较研究
机译:用于改善FinFET性能的栅裙氧化及其制造方法
机译:栅电极应力控制,用于finFET性能增强
机译:基于FINFET的具有扩展源极线FINFET的分栅非易失性闪存及其制造方法
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