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365～193nm曝光的亚半微米多晶硅栅控制

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摘要

综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差,采用光刻模拟程序计算.采用顶层和底层抗反射涂层与否,对从365nm曝光的0.40μm到193nm曝光的0.225μm范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算.

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来源
《电子工业专用设备》|2000年第4期|50-56|共7页
作者

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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
光学光刻; 模拟; 多晶硅; 抗反射涂层;
入库时间 2023-07-25 14:29:28

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