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基于数值模拟的MOCVD反应器设计与优化

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摘要

介绍了垂直喷淋式MOCVD反应器的最新计算机模拟仿真结果,并根据仿真结果对反应器的结构和参数进行了优化设计,应用在自行研制的用于GaN和四元化合物材料生长的设备中.

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来源
《电子工业专用设备》 |2008年第7期|37-41,51|共6页
作者
胡晓宇; 陈海昕;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南,长沙,410111;

国防科学技术大学,湖南,长沙,410000;

清华大学工程力学系,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
MOCVD; 反应器; 数值仿真; 衬底托盘; 利用率;

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