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恩智浦将推出50种采用SiGe：C BiCMOS工艺技术的射频／微波产品;爱特梅尔宣布深圳大学Atmel AVR微控制器实验室成立；新思科技与中芯国际合作推出DesignWareUSB 2．0nanoPHY；英飞凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破开关和效率界限；

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来源
《电子世界》|2010年第6期|P.6-8|共3页
作者

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作者单位

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
BiCMOS工艺; AVR微控制器; Atmel; SiGe; 深圳大学; 国际合作; 效率界限; IGBT;
入库时间 2023-07-24 17:02:30

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