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MOS场效应管静电击穿原因及检测方法

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文章主要介绍MOS场效应管容易受到静电击穿损坏的原因,并从实际应用的角度,给出简单测量场效应管的方法,为维修和应用方面提供一定的参考价值.

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来源
《电子质量》 |2019年第3期|65-68|共4页
作者
欧宝明;
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作者单位

厦门狄耐克智能科技股份有限公司;

福建厦门361026;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件 ;
关键词
MOS管 ; 静电 ; 击穿 ; 检测;

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