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余庆;
华越微电子有限公司,浙江绍兴312016;
晶体管; 大电流特性; 电流放大系数;
机译:硅离子注入形成n型发射区的蓝宝石衬底上基于GaN的双极晶体管的特性
机译:长基区硅磁敏晶体管负电阻振荡特性的机制研究
机译:通过“切割和粘合”工艺制造的低压大电流离子凝胶门控聚合物晶体管
机译:将氰基区域选择性引入BQQDI骨架及其场效应晶体管特性
机译:非晶硅薄膜晶体管的先进工艺和特性。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:低电流大电流绝缘栅双极晶体管开关特性的实验研究
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:用含有收集区,基区和发射区以及至少两个相互平行的发射区strokevormige发射区所包含的halegeleiderlichaam富集的半geleleiderlichaam,其交替变窄和变宽。
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