LSI用NDCZSI的IG处理研究

摘要

利用中子嬗变掺杂(NTD)制备的CZSi(NTDCZSi)中大量存在的辐照缺陷在高温短时间(1100℃,4～8h)退火就可以完成NTDCZSi的IG处理,与CZSi的IG处理相比具有时间短、重复性、可靠性和稳定性规范性好的优点,在LSl制备中取得了良好的效果。