2CK系列大电流开关二极管氢气烧结工艺的优选

摘要

对氢气烧结造成二极管击穿电压蠕变的机理进行了分析,认为烧结过程中过多的H^+离子进入SiO_2层中,成为SiO_2层中的可动正离子,是造成击穿电压蠕变的根本原因。并通过序贯三次L_9(3~4)正交试脸优选,确定了2CK系列大电流开关二极管的氢气烧结最佳工艺条件,使生产效率提高为真空烧结时的三倍,而烧结相同数童的产品耗电却下降了三分之一,使生产效率得到了显著提高。