InP/Si键合技术研究进展

摘要

InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺.利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度,降低成本,具有非常诱人的应用前景.概括地介绍了近年来InP在Si上的键合工艺及层转移技术研究进展,并对InP和Si的几种键合工艺进行了分析.降低InP和Si键合温度,进行低温键合是其发展趋势.比较几种键合技术,利用等离子活化辅助键合是降低键合温度的有效途径.