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廖聪湘; 徐海铭;
中国电子科技集团公司第五十八研究所;
功率晶体管; 沟槽型VDMOS; MOSFET; 单粒子烧毁; 单粒子栅穿;
机译:硅UMOS功率晶体管的重离子辐射降解和失效简介
机译:沟槽型功率MOSFET中单重离子引起的微剂量损伤的表征
机译:用重离子辐射进行仿真实验中铁素体 - 马氏体钢辐射硬化辐射硬化的微观起源研究
机译:同步辐射X射线吸收光谱研究重离子辐照对CeO2的影响:作为高燃耗轻水反应堆燃料辐射损伤的模拟研究
机译:叉指式H型重离子线性加速器的设计研究
机译:使用高能碳重离子辐射的丁醇梭状芽胞杆菌生产丁醇的小规模研究过程
机译:有助于分析碳化硅中MESFET组件的静电放电和重离子辐射过程中的失效机理
机译:LiYF4中三重离子型pro的激光相关研究
机译:扁平型等离子诊断设备件型等离子诊断设备,配备平面等离子诊断设备静电卡盘嵌入平面等离子体诊断系统中。 本研究是一种材料创新计划(NRF)材料创新计划(1711120490 / 2020M34A3106004),由科学和技术信息和通信部门提供支持。委托为51%)韩国国家科技研究协会(NST)研发 同盟计划(1711062007 / CAP-17-02-NFRI-01)由Kriss支持。
机译:包含重氮阳离子,四级阳离子和磺化聚酯阴离子的辐射敏感型添加剂
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