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仲张峰; 韩旭; 潘文宾; 葛华; 尤晓杰; 王银海; 杨帆;
南京国盛电子有限公司 南京 211111;
P型; 表面态; 纵向载流子分布(SRP); 电负性;
机译:n型和p型硅纳米线的电阻率和表面态密度
机译:氮掺杂的P型Znse,P型Zns_yse_(1-y)和P型Zn_(1-x)mg_xs_yse_(1-y)外延受体的激子和给体-受体对的活化能Gaas(1 0 0)衬底上生长的薄膜
机译:在p型GaN,p型AlN和n型金刚石中制备低电阻率宽带隙半导体的共掺杂方法:预测与实验
机译:硅化镍与6H-SiC的接触:离子注入n型的接触电阻率和势垒高度以及p型外延层的势垒高度
机译:分子束外延生长外延汞碲化镉薄膜中砷的掺入和P型掺杂的研究。
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:分子束外延法研究p型III族氮化物纳米线的研究进展
机译:高电阻率砷化镓的表面场效应器件研究。第一部分:砷化镓的表面态
机译:外延晶片的电阻率标准样品的制造方法和使用该方法制造的电阻率标准样品的电阻率测量装置的修正方法
机译:制作金属电极外延形成的预处理方式,以及外延形成与外延形成的接触的电阻率的测量方法
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