避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法

摘要

由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏.文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测试时器件加上了允许的最大电压、电流或功率而导致器件损坏的情况.例如,在测试过程中电源连接不良,测试片与器件接触不良,管脚接错,在测试程序中未设置正确的电压和电流钳位或DUT板损坏等.然后,针对此类现象的发生,提出了在测试过程中应采取的相应措施,从而有效地保证产品质量.