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陈峰; 任罗伟; 陈恒江; 谢立利;
无锡中微爱芯电子有限公司,江苏无锡214072;
集成电路; 版图; 电阻; 长度;
机译:跨并联电阻指的电阻器组中高值多晶硅电阻器电阻变化的表征和理解
机译:重掺杂多晶硅中的少数载流子空穴扩散长度及其对多晶硅发射极晶体管的影响
机译:晶界对多晶γ-Fe_2O_3多晶电阻磁介电性能的影响
机译:多晶硅和多晶硅-多晶硅界面上砷失活对接触电阻的影响
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:溶液pH值对多晶铂间苯二酚电氧化(降解)动力学的影响
机译:多晶四方氧化锆。第二部分:微结构和电阻率四方氧化锆多晶体。第二部分:微结构和电阻率
机译:晶界对多晶硅电阻率的影响
机译:在替换金属门工艺中形成多晶硅电阻器的方法以及包括能够用金属门代替多晶硅栅的多晶硅电阻器的半导体器件
机译:多晶电阻器的制造方法涉及掺杂多晶电阻路径,使得电阻路径的一部分被掺杂而电阻路径的另一部分未被掺杂。
机译:多晶硅电阻器电阻值的整修方法,特别是用作半导体集成电路电阻器的多晶硅电阻器
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