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高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定

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摘要

IGBT(Insulate Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)已得到广泛应用.为提高封装阶段的成品率,需对芯片的高温漏电特性进行测试.通过对芯片测试参数的分析,提出了可通过对Vgth(阈值电压)的测试、比对,实现对芯片在高温测试条件下实际测试温度的校正.

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来源
《电子与封装》 |2017年第10期|13-16|共4页
作者
涂启志; 凌浪波;
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作者单位

无锡广播电视大学,江苏无锡214011;

株洲中车时代电气有限公司,湖南株洲412000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类测试和检验;
关键词
IGBT; 阈值电压; 高温; 漏电流;

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