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黄晓敏; 沈绪榜; 邹雪城; 蒋湘;
华中科技大学图像识别与人工智能研究所;
CMOS; 带隙; 基准电压源; 电源抑制比; 静态功耗;
机译:无电阻高精度补偿CMOS带隙基准电压源
机译:低于1 V的高精度CMOS带隙基准电压源
机译:不含电阻的高精度补偿CMOS带隙基准电压源
机译:具有65nm CMOS工艺的MOS晶体管曲率补偿的高精度带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:最小电源电压为0.8V的基于运算放大器的低功耗CMOS带隙基准电压源的设计与实现
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)
机译:CMOS子带隙基准电压源,其工作电源电压小于带隙电压
机译:CMOS用于提供低电源电压的高精度CMOS带隙基准电路
机译:用于提供低电源电压的高精度CMOS带隙基准电路
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