一种高性能带隙基准源的设计与分析

摘要

提出了一种采用0．6μm 1PIM（单层Poly，单层Metal）CMOS工艺的高性能带隙基准电压源电路（BGR）设计。该电路能够在电压范围[4．0V，6．0V]内稳定工作，实现了一阶PTAT（与绝对温度成比例）温度补偿，并具有较好的电源抑制比和较低的温度系数，应用在热释电红外传感器专用控制芯片之中。HSPICE模拟和芯片测试结果表明，其电源抑制比可达到65dB，在0℃～70℃范围内精度可达到23×10^-6／℃，当VDD为5V时功耗仪为158．6945μW。