纳流体忆阻器数学建模及仿真

摘要

cqvip:本文对纳流体忆阻器进行详细建模,计算出不同浓度条件下纳米沟道表面的电荷密度。通过设置纳米沟道中边界条件,计算在电压脉冲条件下,沟道中界面移动的速率和位移以及每一个脉冲条件下纳米沟道的变化。同时将计算模型结果和实验结果进行对比,发现两者结果非常匹配,为纳流体忆阻器的突触行为提供数学支撑。