一款新颖的带隙基准电压源设计

摘要

基于TSMC0.5 μm CMOS工艺,设计了一款带隙基准源电路.与传统电压基准相比,该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈.采用嵌套式密勒补偿,设计的低温漂、高电源抑制、低功耗的带隙基准电压源.仿真结果显示,该电路所产生的基准电压精度为13.2×10-6/℃,低频时的电源抑制为-98 dB,静态工作电流为3 μA.